1 月 12 日，台积电公布了 2022 年第四季度财务报告，并在法说会上透露，他们的 2nm 工艺正在积极研发中，预计 2025 年量产。

与此同时，台积电将在 2nm 工艺中首次更换晶体管架构，从 FinFET 转至 GAA 。这项变动台积电落后了三星 3 年时间。可以看出，台积电为了保证芯片良率，在更换晶体管架构方面比较保守。

据了解，搭载 FinFET 架构的台积电初代 3nm 的良率达到了 70% ～ 80% ，而搭载 GAA 架构的三星初代 3nm 的良率，只有 10% ～ 20% 。过低的良率导致三星 2023 年的大部分订单都被台积电抢走，竞争相当激烈。

对于 3nm 以下工艺制程， GAA 工艺架构将是必然之选。随着技术节点的进一步推进， FinFET 结构面临越来越大的困难与挑战。该结构的制备工艺十分复杂，会给工艺的稳定性方面带来一定困扰，使漏电问题无法得到有效保障。相比于三面围栅的 FinFET 结构， GAA 技术采用的四面环栅结构，可以更好地抑制漏电流的形成和驱动电流的增大，更有利于实现性能和功耗之间的平衡。

然而，在采用新工艺技术的同时，也会带来一定的风险。 “FinFET 工艺结构已经在先进集成电路芯片中发展应用了 10 年之久，可见 FinFET 技术在各方面已经相对比较成熟，也能够更好地控制成本，而引入 GAA 之后，在很多技术方面需要进行重新考量，需要花费更多成本来进行研发，这也容易造成芯片成本更高，芯片良率也难以保证。 ”Gartner 研究副总裁盛凌海同《中国电子报》记者说。

预计在台积电 2nm 量产之时，会迎来新一轮的角逐。首先，台积电计划在 2025 年的 2nm 制程工艺上用上 GAA 晶体管架构，或许也将面临三星同样的瓶颈期，短时间内难以保证稳定的良率。其次，届时，三星在 GAA 晶体管架构方面应已有了一定的技术积累，有可能在台积电陷入瓶颈期时，挽回此前流失的客户，这或许将给台积电带来更大的挑战。

                                                                        （来源：中国电子报  中国电子信息产业网）