各县（市、区）工信部门，航空港实验区（综保区）、高新区、郑东新区经发局，经开区企服中心：
近期，国家工信部与发改委将组织新型平板显示和宽带网络设备研发及产业化专项（2014年度电子信息技术改造专项），为便于加快推进相关工作，现将支持重点和主要指标转发你们，请提前了解有关情况，最终以工信部正式文件为准，再行申报。 联系人：市工业和信息化委员会 张海
电 话：0371-67170937 13503860073
信 箱：zzsgxwtzc@163.com 附件：2014年度电子信息技术改造专项支持重点和主要指标
2014年4月23日
附件
各有关主管部门：
近期，为推动我国新型平板显示产业快速发展，落实“宽带中国”战略，我部与国家发改委将组织新型平板显示和宽带网络设备研发及产业化专项（2014年度电子信息技术改造专项），拟在全国范围内选取20家左右企业给予重点支持。为便于加快推进相关工作，先以邮件方式将支持重点和主要指标要求发送你处，请与当地发改委协调配合，组织骨干企业进行申报，严格控制申报数量，避免“小而散”。以下材料供参考，最终以正式书面通知为准。
一、新型平板显示领域
1、高世代（6代及以上）薄膜晶体管液晶显示（TFT-LCD）用高性能混合液晶材料研发和产业化
要求：驱动电压≤7V，响应时间≤15ms，电阻率≥1×1013Ω•cm，单体纯度>99.90%，粘度<20mPa•s；申报单位已实现年销售量大于1吨。
2、有源有机发光显示（AMOLED）用高精度金属因钢蒸镀掩膜板研发和产业化
要求：尺寸≥650mm×750mm，最小开口尺寸25μm，开口精度≤±3μm，开口间距≤50μm，定位精度≤±5μm；申报单位已实现年销售量大于80套。
3、AMOLED用高性能、长寿命有机蓝色电致发光、电子传输和空穴注入/传输材料研发和产业化
要求：达产后形成年产发光材料25公斤、其他材料500公斤的生产能力，其中：蓝光材料色度坐标达到CIE（0.14±0.01，0.07±0.01），1000 cd/ m2亮度下，效率>6cd/A；空穴传输材料迁移率>8.0×10-4cm2/Vs；电子传输/空穴注入材料采用飞行时间法测试，迁移率>5.0×10-3 cm2/Vs；玻璃化转变温度Tg≥130℃；驱动电压低于4 V情况下，对应器件特性指标LT95寿命要求红、绿（>5000 cd/ m2）≥3000小时，蓝（>500 cd/ m2）≥1000小时；实验片发光区面积3mm×3mm。
4、高分辨率面板驱动IC研发和产业化
要求：支持高分辨率（4K×2K）及以上电视面板、300PPI（每英寸像素数目）及以上手机面板，并可根据面板厂商要求提供不同接口技术。
5、高世代TFT-LCD及AMOLED用PECVD设备研发和产业化
要求：可制备非晶硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二铝等薄膜材料，成膜非均匀度≤±3%，基板处理能力≥20片/小时。
6、高世代TFT-LCD及AMOLED用溅射镀膜设备研发和产业化
要求：靶材利用率>75%，薄膜非均匀性<5%，可制备ITO（氧化铟锡）、IGZO（氧化铟镓锌）、铝、钼等薄膜材料。
二、宽带网络设备领域
1、新一代光纤宽带接入核心设备研发和产业化
要求：支持GPON/XG-PON共存，单板不少于4个40Gbps接口的PON系统，ONU支持无色特性。
2、超高速波分复用传输系统研发和产业化
要求：400Gbps高速波分复用传输设备，无电中继传输距离不小于800公里，单光纤速率不低于16Tbps。
3、分组光传送网设备研发和产业化
要求：基于统一信元交换的POTN设备，单槽位接入容量不小于200Gbps，整机交换容量不低于6.4Tbps，支持多类型业务，交换容量动态分配，高精度时钟和频率同步传送。
4、高端核心路由器研发和产业化
要求：单板卡单向转发性能不低于400Gbps，单机框转发性能不低于12.8Tbps，支持业务框数量不低于4个的集群形态。
5、高端数据交换设备研发和产业化
要求：单板卡单向转发性能不低于1Tbps，整机双向交换容量不低于20Tbps。
6、运营商级网络地址翻译设备研发和产业化
要求：支持IPv4/IPv6双协议栈，CGN业务板卡速率不低于200Gbps，整机支持翻译会话数不低于1000万。
近期，国家工信部与发改委将组织新型平板显示和宽带网络设备研发及产业化专项（2014年度电子信息技术改造专项），为便于加快推进相关工作，现将支持重点和主要指标转发你们，请提前了解有关情况，最终以工信部正式文件为准，再行申报。 联系人：市工业和信息化委员会 张海
电 话：0371-67170937 13503860073
信 箱：zzsgxwtzc@163.com 附件：2014年度电子信息技术改造专项支持重点和主要指标
2014年4月23日
附件
各有关主管部门：
近期，为推动我国新型平板显示产业快速发展，落实“宽带中国”战略，我部与国家发改委将组织新型平板显示和宽带网络设备研发及产业化专项（2014年度电子信息技术改造专项），拟在全国范围内选取20家左右企业给予重点支持。为便于加快推进相关工作，先以邮件方式将支持重点和主要指标要求发送你处，请与当地发改委协调配合，组织骨干企业进行申报，严格控制申报数量，避免“小而散”。以下材料供参考，最终以正式书面通知为准。
一、新型平板显示领域
1、高世代（6代及以上）薄膜晶体管液晶显示（TFT-LCD）用高性能混合液晶材料研发和产业化
要求：驱动电压≤7V，响应时间≤15ms，电阻率≥1×1013Ω•cm，单体纯度>99.90%，粘度<20mPa•s；申报单位已实现年销售量大于1吨。
2、有源有机发光显示（AMOLED）用高精度金属因钢蒸镀掩膜板研发和产业化
要求：尺寸≥650mm×750mm，最小开口尺寸25μm，开口精度≤±3μm，开口间距≤50μm，定位精度≤±5μm；申报单位已实现年销售量大于80套。
3、AMOLED用高性能、长寿命有机蓝色电致发光、电子传输和空穴注入/传输材料研发和产业化
要求：达产后形成年产发光材料25公斤、其他材料500公斤的生产能力，其中：蓝光材料色度坐标达到CIE（0.14±0.01，0.07±0.01），1000 cd/ m2亮度下，效率>6cd/A；空穴传输材料迁移率>8.0×10-4cm2/Vs；电子传输/空穴注入材料采用飞行时间法测试，迁移率>5.0×10-3 cm2/Vs；玻璃化转变温度Tg≥130℃；驱动电压低于4 V情况下，对应器件特性指标LT95寿命要求红、绿（>5000 cd/ m2）≥3000小时，蓝（>500 cd/ m2）≥1000小时；实验片发光区面积3mm×3mm。
4、高分辨率面板驱动IC研发和产业化
要求：支持高分辨率（4K×2K）及以上电视面板、300PPI（每英寸像素数目）及以上手机面板，并可根据面板厂商要求提供不同接口技术。
5、高世代TFT-LCD及AMOLED用PECVD设备研发和产业化
要求：可制备非晶硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二铝等薄膜材料，成膜非均匀度≤±3%，基板处理能力≥20片/小时。
6、高世代TFT-LCD及AMOLED用溅射镀膜设备研发和产业化
要求：靶材利用率>75%，薄膜非均匀性<5%，可制备ITO（氧化铟锡）、IGZO（氧化铟镓锌）、铝、钼等薄膜材料。
二、宽带网络设备领域
1、新一代光纤宽带接入核心设备研发和产业化
要求：支持GPON/XG-PON共存，单板不少于4个40Gbps接口的PON系统，ONU支持无色特性。
2、超高速波分复用传输系统研发和产业化
要求：400Gbps高速波分复用传输设备，无电中继传输距离不小于800公里，单光纤速率不低于16Tbps。
3、分组光传送网设备研发和产业化
要求：基于统一信元交换的POTN设备，单槽位接入容量不小于200Gbps，整机交换容量不低于6.4Tbps，支持多类型业务，交换容量动态分配，高精度时钟和频率同步传送。
4、高端核心路由器研发和产业化
要求：单板卡单向转发性能不低于400Gbps，单机框转发性能不低于12.8Tbps，支持业务框数量不低于4个的集群形态。
5、高端数据交换设备研发和产业化
要求：单板卡单向转发性能不低于1Tbps，整机双向交换容量不低于20Tbps。
6、运营商级网络地址翻译设备研发和产业化
要求：支持IPv4/IPv6双协议栈，CGN业务板卡速率不低于200Gbps，整机支持翻译会话数不低于1000万。
